KND42120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流3A，具备高压和低导通电阻特性，...KND42120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流3A，具备高压和低导通电阻特性，提高系统效率；低导通电阻RDS(ON) 7Ω、低栅极电荷(17.5nC)最小化开关损耗；以及高...
电阻基本公式：R=ρL/S (其中,ρ表示电阻的电阻率,是由其本身性质决定,L表示电...电阻基本公式：R=ρL/S (其中,ρ表示电阻的电阻率,是由其本身性质决定,L表示电阻的长度,S表示电阻的横截面积)
vdd，digital power input，数字电路电源输入端；vss，gnd或digital gnd，地或...vdd，digital power input，数字电路电源输入端；vss，gnd或digital gnd，地或数字电路“地”；avdd，analog power input，模拟电路电源输入端；avss，analog gnd...
无线充电器专用MOS管KIA40N20AP漏源击穿电压200V，漏极电流40A，低导通电阻RDS...无线充电器专用MOS管KIA40N20AP漏源击穿电压200V，漏极电流40A，低导通电阻RDS(ON) =0.08Ω、低栅极电荷（典型值50nC），最小化开关损耗；具有快速切换能力、符合...
对于低通滤波器，通带截止频率即为所需的截止频率，可以直接选择该频率作为通带...对于低通滤波器，通带截止频率即为所需的截止频率，可以直接选择该频率作为通带截止频率。例如，当需要一个3dB截止频率为10kHz的低通滤波器时，通带截止频率就是1...
