控制板mos管KNF6180A漏源击穿电压800V，漏极电流10A；采用专用新型技术生产，极...控制板mos管KNF6180A漏源击穿电压800V，漏极电流10A；采用专用新型技术生产，极低导通电阻RDS(开启) 1.0Ω，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能；快速...
热阻的符号为Rth和θ。 单位是℃/W（K/W）。 热阻是一个物理量，用于描述在有...热阻的符号为Rth和θ。 单位是℃/W（K/W）。 热阻是一个物理量，用于描述在有温度差的情况下，物体抵抗传热能力的强弱。热导率越好的物体，其热阻通常越低。
SOD-123封装尺寸与1206封装尺寸是对应的。1206封装尺寸为1.2mm×1.6mm，对应二...SOD-123封装尺寸与1206封装尺寸是对应的。1206封装尺寸为1.2mm×1.6mm，对应二极管SOD-123封装。 sod323长度比sod123短1.0毫米，宽度短0.3毫米，高度短0.1毫米。...
KIA28N50HH场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，极低导通电阻RDS(开启) 0....KIA28N50HH场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，极低导通电阻RDS(开启) 0.16mΩ，最大限度地减少导电损耗，降低功耗、提升效率；低栅极电荷、低Crss、改进的d...
使用两个万用表，一个测量基极与发射极之间的电阻值，一个测量基极与集电极之间...使用两个万用表，一个测量基极与发射极之间的电阻值，一个测量基极与集电极之间的电阻值，通过判断电阻值的变化来确定管脚的正负极性以及集电极、基极、发射极的连...
