许多MOS管在管壳表面上有标记或标识，标明了各个电极的名称； 在电路图中，MO...许多MOS管在管壳表面上有标记或标识，标明了各个电极的名称； 在电路图中，MOS管的电极通常会用特定的符号表示，G极通常用一个圆圈表示，S极用一个小圆圈表示，D...
KIA6035AD场效应管漏源击穿电压350V，漏极电流11A；采用先进的平面条纹DMOS技术...KIA6035AD场效应管漏源击穿电压350V，漏极电流11A；采用先进的平面条纹DMOS技术，最大限度地减少导通电阻，导通电阻RDS(开启) 0.38Ω，降低功耗、提升效率；在雪崩...
场效应管是一种电压控制型器件，通过栅源电压（VGS）来控制漏极电流（ID），具...场效应管是一种电压控制型器件，通过栅源电压（VGS）来控制漏极电流（ID），具有高输入阻抗、低输出阻抗、快速开关速度和大电压/电流能力等特点。
低通滤波电路可使低频信号较少损失地传输到输出端，使高频信号得到有效抑制。低...低通滤波电路可使低频信号较少损失地传输到输出端，使高频信号得到有效抑制。低通滤波(Low-pass filter) 是一种过滤方式，规则为低频信号能正常通过，而超过设定临...
KIA5N50SY场效应管漏源击穿电压高达500V，漏极电流5A，低导通电阻RDS(开启) 1....KIA5N50SY场效应管漏源击穿电压高达500V，漏极电流5A，低导通电阻RDS(开启) 1.35Ω，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；坚固的高压端接、指定雪崩能量、源极到...
