势垒电容：功率半导体中，当N型和P型半导体结合后，由于浓度差导致N型半导体的...势垒电容：功率半导体中，当N型和P型半导体结合后，由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中，因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区（该空...
hid安定器MOS管KIA3510AB漏源击穿电压100V，漏极电流75A，极低导通电阻RDS(开...hid安定器MOS管KIA3510AB漏源击穿电压100V，漏极电流75A，极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ，最大限度地减少导通损耗，低栅极电荷有助于降低开关损耗，性能优越；1...
低频电路：通常工作在几十赫兹到几千赫兹的频率范围内，最多可以达到20kHz。 ...低频电路：通常工作在几十赫兹到几千赫兹的频率范围内，最多可以达到20kHz。 高频电路：工作频率在几千赫兹到几兆赫兹甚至更高，通常达到GHz级别。
当PMOS管导通时，高频变压器原边（Np）的上端是正电压，下端是负电压。副边（N...当PMOS管导通时，高频变压器原边（Np）的上端是正电压，下端是负电压。副边（Ns）则是上端负电压，下端正电压。这时候，整流二极管是截止的，负载所需的能量由输出...
KNP2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.8m...KNP2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，低电流以减少开关损耗，提高效率；具有卓越的电气参数...
