KNH7650A场效应管漏源电压500V，漏极电流25A，采用高级平面工艺制造，加固多晶...KNH7650A场效应管漏源电压500V，漏极电流25A，采用高级平面工艺制造，加固多晶硅栅极结构，能够提升设备性能，提高系统效率；低导通电阻RDS(开启) 170mΩ，低栅极...
先找并联、再找串联，相互并联的两个电阻可以去掉其中一个作为一个”外挂“并在...先找并联、再找串联，相互并联的两个电阻可以去掉其中一个作为一个”外挂“并在另一个旁边，相互串联的两个电阻直接看成一个电阻，如下图；
热阻的计算公式：R = ΔT / P， 其中： R 代表热阻，单位是℃/W（或者开尔文...热阻的计算公式：R = ΔT / P， 其中： R 代表热阻，单位是℃/W（或者开尔文每瓦特 K/W）。 ΔT 是温度差，表示物体两端的温差，单位是℃。 P 是功率，表示施...
KNH2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.8m...KNH2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.8mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电流以减少导电损耗、高雪崩电流，性能优越，高效稳...
反相降压升压转换器使用p沟道MOSFET作为开关，但p沟道MOSFET的一大缺点是其内阻...反相降压升压转换器使用p沟道MOSFET作为开关，但p沟道MOSFET的一大缺点是其内阻。如果考虑一个通用的IRF9540 p沟道MOSFET，内阻是0.22R或220ms，但如果考虑它的互...
