mos管4n65
mos管KIA4N65H-产品特征
1、RDS(on)=2.5?@VGS=10V
2、低门电荷（典型的16nC）
3、高韧性
4、快速切换
5、N100%雪崩试验
6、改进的dv/dt能力
mos管4N65-产品主要参数
产品型号：KIA4N65H
工作方式：4.0A/650V
漏源极电压:650V
栅源电压:±30V
操作和存储温度范围：-55至+150℃
mos管4N65-标准封装
mos管4N65-电路图
mos管4N65产品附件
以下为KIA4N65H产品PDF格式的产品详细资料，查看详情请点击下图。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
