10n60场效应管参数
场效应管10n60产品特征-KIA10N60H
可易亚设计了KIA10N60H N沟道增强型硅栅功率MOSFET适用于高电压、高速度的功率开关应用，如高效率的开关电源。电源，有源功率因数校正，电子镇流器基于半桥式，以消光。
1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V
2、低门电荷（典型的44nC）
3、快速交换能力
4、雪崩能量指定值
5、改进的dv/dt能力
10n60场效应管参数-KIA10N60H
产品型号：KIA10N60H
工作方式：9.5A/600V
漏源极电压：600V
栅源电压：±30V
漏电流脉冲：38.0*A
结温：+150℃
贮存温度：-55℃至150℃
KIA10N60H标准封装
KIA10N60H电路图
KIA10N60H产品附件
以下为KIA10N60H产品PDF格式的产品详细资料，查看详情请点击下图。
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