MOS管23P10产品特征-KIA23P10A
1、VGS=78mΩ(类型)@VGS=10V
2、100%氮气保护
3、可用绿色设备
4、超低栅极电荷
5、最佳Cdv/dt效应衰减
6、高级高密度槽技术
MOS管23P10产品主要参数-KIA23P10A
产品型号:KIA23P10A
工作方式:-23A/-100V
漏源极电压:-100V
栅源电压:±20V
脉冲漏电流:-75A
单脉冲雪崩能:157.2MJ
雪崩电流:18.9A
总功耗:96W
操作和储存温度范围:-55℃至+150℃
KIA23P10A标准封装

KIA23P10A电路图


KIA23P10A产品附件
以下为KIA23P10A产品PDF格式的产品详细资料,查看详情请点击下图。
联系方式:邹先生
联系电话:0755-83888366-8022
手机:18123972950
QQ:2880195519
联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助