MOS管50N03产品特征-KIA50N03A
1、先进的沟槽处理技术
2、高密度超低电阻电池的设计
3、完全确定雪崩电压和电流
4、VDSS=30V,RDS(on)=6.5mΩ,ID=50A
5、Vds=30V
6、RDS(ON)=6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
7、RDS(ON)=9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
MOS管50N03产品主要参数-KIA50N03A
产品型号：KIA50N03A
工作方式：50A/30V
漏源极电压:30V
栅源电压:±20V
连续漏电流：50A
脉冲漏电流 ：200A
操作接头和存储温度范围:-55℃至150℃
结对壳热阻：1.8℃/W
对周围环境的电阻:50℃/W
KIA50N03A标准封装
KIA50N03A产品附件
以下为KIA50N03A产品PDF格式的产品详细资料，查看详情请点击下图。
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联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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