MOS管20N50产品特征-KIA20N50H
1、KIA20N50H N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高功率MOSFET设计的电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源等。有源功率因数校正。
2、RDS(on) =0.21?@VGS=10V
3、低门电荷（典型的70纳米）
4、快速切换能力
5、雪崩能量指定
6、改进的dv/dt能力
MOS管20N50产品主要参数-KIA20N50H
产品型号：KIA20N50H
工作方式：20A/500V
漏源极电压：500V
栅源电压:±30V
功能温度:+150℃
贮存温度：-55℃至+150℃
KIA20N50H标准封装
KIA20N50H电路图
KIA20N50H产品附件
以下为KIA20N50H产品PDF格式的产品详细资料，查看详情请点击下图。
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