场效应管的作用：
场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor,FET）的简称。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。
三极管和场效应管的主要区别在于三极管的放大或者开关功能依赖基极的电流分量。场效应管的放大和开关功能依赖于栅极的电压分量。其他还有开关时间特性的区别，一般晶体三极管大电流的开关速度远比不上场效应管。
三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集成电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。
总结：
1．MOSFET温度稳定性好，而三极管受温度影响较大，因此环境温度变化较的场合下，采用MOSFET更合适。
2．用来放大信号时，三极管输入端的发射结为正向偏置。输入阻抗较小。而MOSFET输入阻抗极高，因此MOSFETＴ放大级对前级的放大能力影响极小。
3．MOSFET的输入电阻极高，所以一旦栅极上感应少量电荷。就管。因此使用ＭＯＳ管时要特别小心。尤其是焊接ＭＯＳ管时，电烙铁外壳要良好接地。管子存放时，应使ＭＯＳ管栅极与源极短接，避免栅极悬空。
4．三极管由于发射区和集电区结构上的不对称，所以正常使用时．发射极和集电极是不能互换的。而MOSFET在结构上是对称的。所以源极和漏极可以互换使用。但要注意。分立的MOSFET．有时已将衬底和源极在管内短接，源极和漏极就不能互换使用了。
5．场效应管放大电路最大最突出的特点是．共源、共漏和共栅电路的输入电阻高于相应的共发射极、共集电极和共基极电路的输入电阻。此外，场效应管还有噪声低、温度稳定性好、抗辐射能力强等优于三极管的特点，而且便于集成。
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