MOS管KIA2300产品特征
VDS =20V,R DS(on) =30mΩ@V GS =10V,I D =6.0A
VDS =20V,R DS(on) =40mΩ@V GS =4.5V,I D =3.0A
VDS =20V,R DS(on) =55mΩ@V GS =2.5V,I D =2.0A
MOS管KIA2300参数
产品型号：KIA2300
工作方式：6.0A/20V
漏源电压：20V
栅源电压：±10A
漏电流连续：6.0A
脉冲漏极电流：20A
耗散功率：1.25W
热电阻：100℃/V
漏源击穿电压：20V
栅极阈值电压：0.5V
输入电容：888PF
输出电容：144PF
上升时间：14.5ns
封装形式：SOT-23
MOS管KIA2300产品附件
以下为KIA2300产品PDF格式的详细资料，查看详情请点击下图。如有需要请联系我们，KIA半导体将会竭诚为您服务！
MOS管KIA2300可替代NCP1117
NCP1117品牌：ON SEMICONDUCTOR
封装：SOT-223
电流：6A
电压：20V
NCP1117产品附件
KIA2300可替代NCP1117，货源稳定，原厂直销。以下为NCP1117产品PDF格式的详细资料，查看详情请点击下图。
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