MOS管KNX8103A替代LM2937-33
MOS管KNX8103A替代LM2937-33，下文将会有KNX8103A和LM2937-33两个型号的产品附件，KIA半导体10几年一直走品质追求，也一直力争将质量做好最精致完美。KAI半导体雪崩冲击低，且低内阻等优势。
KNX8103A主要参数
电流：30A
电压：30V
漏源极电压：30V
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：60A
单脉冲雪崩能：72MJ
雪崩电流：21A
运行结温范围：-55℃至+150℃
贮存温度范围：-55℃至+150℃
MOS管KNX8103A产品特征
1、KIA-8103A是最高性能沟槽N-ch MOSFETs与极端高电池密度，为大部分同步降压变换器提供了优良的RDSON和门电荷KIA30N03B满足RoHS和绿色产品的需求，100%EAS保证全功能可靠性批准。
2、RDS (on)=15m?@VDS=30V
3、先进的高密度槽技术
4、超低门电荷
5、Cdv/dt效应下降
6、100%EAS保证
7、绿色设备可用
主要应用领域
1、用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载同步Buck变换器
2、网络直流电力系统
3、负载开关
MOS管KNX8103A引脚图封装
MOS管KNX8103A产品附件
以下为KNX8103A产品PDF格式的详细资料，查看详情请点击下图。如有需要请联系我们，KIA半导体将会竭诚为您服务！
LM2937-33的主要参数
电流：30A
电压：26V
封装：SOT-223
MOS管LM2937-33产品附件
以下为LM2937-33产品PDF格式的详细资料，查看详情请点击下图。
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