场效应管贴片封装形式
MOSFET芯片在制作完成之后,需要给MOSFET芯片加上一个外壳,即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用,同时还为芯片提供电气连接和隔离,以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。按照安装在PCB 方式来区分,MOS管封装主要有两大类:插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB 上。表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。
场效应管贴片封装
场效应管贴片封装规格为TO封装
TO（Transistor Out-line）的中文意思是“晶体管外形”。这是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。近年来表面贴装市场需求量增大，TO封装也进展到表面贴装式封装。
TO252和TO263就是表面贴装封装。其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。
D-PAK封装的MOSFET有3个电极，栅极（G）、漏极（D）、源极（S）。其中漏极（D）的引脚被剪断不用，而是使用背面的散热板作漏极（D），直接焊接在PCB上，一方面用于输出大电流，一方面通过PCB散热。所以PCB的D-PAK焊盘有三处，漏极（D）焊盘较大。
贴片封装TO-252引脚图
场效应管贴片封装流行的还是双列直插封装，简称DIP(Dual ln-line Package)。DIP封装在当时具有适合PCB(印刷电路板)的穿孔安装，具有比TO型封装易于对PCB布线以及操作较为方便等一些特点，其封装的结构形式也很多，包括多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP等等。常用于功率晶体管、稳压芯片的封装。
SOT封装
SOT（Small Out-Line Transistor）小外形晶体管封装。这种封装就是贴片型小功率晶体管封装，比TO封装体积小，一般用于小功率MOSFET。常见的规格如上。
主板上常用四端引脚的SOT-89 MOSFET。
SOT-23封装
SOP封装
SOP（Small Out-Line Package）的中文意思是“小外形封装”。SOP是表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状（L 字形）。材料有塑料和陶瓷两种。SOP也叫SOL 和DFP。SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的数字表示引脚数。MOSFET的SOP封装多数采用SOP-8规格，业界往往把“P”省略，叫SO（Small Out-Line ）。
SO-8采用塑料封装，没有散热底板，散热不良，一般用于小功率MOSFET。
SO-8是PHILIP公司首先开发的，以后逐渐派生出TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）等标准规格。
这些派生的几种封装规格中，TSOP和TSSOP常用于MOSFET封装。
QFN-56封装
QFN（Quad Flat Non-leaded package）是表面贴装型封装之一，中文叫做四边无引线扁平封装，是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴表面贴装芯片封装技术。现在多称为LCC。QFN是日本电子机械工业会规定的名称。
封装四边配置有电极接点，由于无引线，贴装占有面积比QFP小，高度比QFP低。这种封装也称为LCC、PCLC、P－LCC等。QFN本来用于集成电路的封装，MOSFET不会采用的。Intel提出的整合驱动与MOSFET的DrMOS采用QFN-56封装，56是指在芯片背面有56个连接Pin。
场效应管贴片管脚图
部分贴片场效应管的管脚排列如下图。此外，我们］可利用万用表Rx1k档判别结型场效应管电极，黑表笔碰触一个电极，红表笔依次碰触另外两个电极，若两次测出的阻值都很大，则是P沟道且黑表笔接的是栅极。反之，两次阻值均很小，则是N沟道，黑表笔接的也是栅极，但此法不能用于测绝缘栅场效应管。
部分场效应管管脚排列
另外，还可用万用表估测结型场效应管的放大能力，如下图。手捏住栅极后，表针会向左摆动（或向右），但只要有明显摆动说明此管有放大能力，摆动小，放大能力弱。由于测量进g-结电窄上充有少量电荷，每次测量后要将g-s间短路一下，否则再次测可能表针不动。
对于大功率场效应管，如下图（a）所示，从左至右，管脚排列基本为G、D、S极（散热片接D极）：采用绝缘底板模块封装的特种场效应管通常有四个管脚，如下图示，上面的两个通常为两个S极（相连），下面的两个分别为G、D极；采用贴片封装的场效应管，如下图示，散热片是D极，下面的三个脚分别是G、D、S极。
场效应管贴片的种类
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