MOS管 2N65H产品描述
此功率MOSFET是采用KIA先进的平面条纹DMOS工艺生产的。这先进的技术已经专门针对最小化通态电阻，提供了优越的开关性能好，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲。这些适用于高效率开关电源，有功功率因数校正基于半桥拓扑。
MOS管2N65H特征
RDS (on) =4.3Ω@VGS=10V
低门电荷(典型的6.5nC)
高韧性
快速切换
100%雪崩试验
改进的dv/dt能力
MOS管2N65H产品封装引脚图
MOS管2N65H产品主要参数
型号：KIA2N65H
电流：2.0A
电压:650V
漏源极电压:650V
漏电流脉冲:7.5A
栅源电压:±30V
单脉冲雪崩能：100MJ
重复雪崩能：4.2MJ
峰值二极管恢复：4.5V/ns
MOS管2N65H电路特征
MOS管2N65H规格书
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