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高耐压场效应管参数型号大全-高耐压场效应管原厂推荐 耐压性强-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-12-29 

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高耐压场效应管厂家

高耐压场效应管厂家介绍,深圳市可易亚半导体科技有限公司主营半导体产品丰富,是一家国产MOS管厂家。专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、超结场效应管、碳化硅二极管、碳化硅场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。

高耐压场效应管


强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。


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KIA半导体的产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域,不仅包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能源,也涉及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA专注于产品的精细化与革新,力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。


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公司成立初期就明确立足本市场,研发为先导,了解客户需求,运用创新的集成电路设计方案和国际同步研发技术,结合中国市场的特点,向市场推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等电源相关产品,产品的稳定性,高性价比,良好的服务,以及和客户充分的技术,市场沟通的严谨态度.在移动数码,LCE,HID,LED,电动车,开关电源,逆变器,节能灯等领域深得客户认可。


高耐压场效应管封装

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高耐压场效应管参数型号

高耐压场效应管

注:这里列出了部分型号,需了解更多,请联系我们!



高耐压场效应管工作原理

场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。


在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。


1、MOS场效应管电源开关电路

MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。

在二极管加上正向电压(P端接正极,N端接负极)时,二极管导通,其PN结有电流通过。


这是因为在P型半导体端为正电压时,N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端,而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动,从而形成导通电流。同理,当二极管加上反向电压(P端接负极,N端接正极)时,这时在P型半导体端为负电压,正电子被聚集在P型半导体端,负电子则聚集在N型半导体端,电子不移动,其PN结没有电流通过,二极管截止。在栅极没有电压时,由前面分析可知,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时场效应管处与截止状态


当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时,由于电场的作用,此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中,从而形成电流,使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟,栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁,该桥的大小由栅压的大小决定。


2、C-MOS场效应管(增强型MOS场效应管)

电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时,P沟道MOS场效应管导通,输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时,N沟道MOS场效应管导通,输出端与电源地接通。在该电路中,P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作,其相位输入端和输出端相反。


通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响,使得栅压在还没有到0V,通常在栅极电压小于1到2V时,MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此,使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。


场效应管的作用详解

1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。


2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。


3.场效应管可以用作可变电阻。


4.场效应管可以方便地用作恒流源。


5.场效应管可以用作电子开关。


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