安定器MOS管 50N03 50A/30V
安定器MOS管 50N03应用参数
VDSS =30V,R DS(on) =6.5mΩ,I D =50A
Vds=30V
RDS(ON) =6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
RDS(ON) =9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
安定器MOS管 50N03产品特征
先进沟槽加工技术
超低电阻高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
安定器MOS管 50N03参数详情
产品型号：KIA50N03
工作方式：50A/30V
漏源电压：30V
栅源电压：±20A
漏电流连续：50A
脉冲漏极电流：200A
耗散功率：60W
热电阻：50℃/W
漏源击穿电压：30V
栅极阈值电压：1V
输入电容：1180PF
输出电容：270PF
上升时间：6ns
封装形式：TO-251、252/220
安定器MOS管 50N03产品规格书
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