无线充MOS管,KNE4603A2,7A/30V
无线充MOS管
无线充电技术，源于无线电能传输技术，可分为小功率无线充电和大功率无线充电两种方式。
小功率无线充电常采用电磁感应式，如对手机充电的Qi方式，但中兴的电动汽车无线充电方式采用感应式。大功率无线充电常采用谐振式（大部分电动汽车充电采用此方式）由供电设备（充电器）将能量传送至用电的装置，该装置使用接收到的能量对电池充电，并同时供其本身运作之用。
由于充电器与用电装置之间以磁场传送能量，两者之间不用电线连接，因此充电器及用电的装置都可以做到无导电接点外露。
KIA半导体无线充MOS管 KNE4603A2产品概述
该KNE4603A2是高密度沟槽双N沟道MOSFET，提供优良的RDSON和栅极充电为大多数同步降压转换器应用KNE4603A2符合环保和绿色产品的要求。
无线充MOS管 KNE4603A2产品特点
RDS(on)=14.5mΩ(typ)@VGS=10V
超低栅电荷
绿色设备可用
先进的高单元密度沟槽技术
无线充MOS管 KNE4603A2封装
KIA半导体采用N沟道双MOS管，封装图如下：
无线充MOS管 KNE4603A2 7A/30V参数
型号：KNE4603A2
工作方式：7A/30V
漏极电压：30V
栅极电压：±20V
脉冲漏电流：35A
单脉冲雪崩能量：20NJ
雪崩电流：20A
总功耗：1.5W
漏源击穿电压：30V
无线充MOS管 KNE4603A2电路特征
无线充MOS管 KNE4603A2 7A/30V附件规格书
查看规格书，请点击下图。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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