MOS管,KNX6610A,15A/100V
MOS管 KNX6610A产品概述
KNX6610A是最高性能的沟槽N-ch MOSFETS，具有极高的高单元密度。为大多数同步降压变换器的应用提供了优良的RDSON和栅极充电。KNX6610A符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证与可靠性。
MOS管 KNX6610A产品特征
RDS(ON)=70mΩ(typ.)@VGS=10V
先进的高单元密度沟槽技术
超低栅电荷
优异的CDV/DT效应
可用的绿色设备
MOS管 KNX6610A 15A/100V应用领域
1、高频点负载同步降压变换器
2、直流联网供电系统
3、负荷开关
MOS管 KNX6610A 15A/100V主要参数
型号：KNX6610A
工作方式：15A/100V
漏源极电压：100V
栅源电压：±20V
单脉冲雪崩能发电：7.3MJ
雪崩电流：11A
操作连接和贮存温度范围:-55至150℃
漏源击穿电压：100V
温度系数：0.098V/℃
前向跨导：13S
单脉冲雪崩能量:1.5MJ
二极管前置电压：1.2V
MOS管 KNX6610A封装图
MOS管 KNX6610A 15A/100V规格书
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