MOS管,KNX9130A替代IRFB4137,40A/300V
KIA半导体产品MOS管KNX9130A替代IRFB4137，KNX9130A相比IRFB4137,KIA半导体场效应管有着雪崩冲击低、低内阻等技术优势。下文将会有KNX9130A和IRFB4137两个产品详细参数、封装、规格书。
KIA半导体也一直执行全面质量管理体系，是将所有产品质量从芯片设计开始，一直贯彻到客户使用的全过程质量跟踪和监控。我们确定在这一质量控制体系下生产的产品，在相关环节的质量状态和信息都是有效控制，确保提供给客户的产品是安全可靠的。下文将描述KNX9130A产品附件及主要参数详情。
MOS管 KNX9130A产品特征
RDS(ON),typ.=100mΩ@VGS=10V
专有的新平面技术
低栅电荷最小开关损耗
快速恢复体二极管
KNX9130A替代IRFB4137-KNX9130A 40A/300V主要参数详情
型号：KNX9130A
工作方式：40A/300V
漏源极电压：250V
栅极到源极电压：±20V
连续漏电电流：40A
单脉冲雪崩能量:1250MJ
二极管峰值恢复:5.0V/ns
漏源击穿电压:300V
二极管正向电压:1.5V
输入电容:3100pF
输出电容:250pF
反向传输电容:80pF
KNX9130A封装图
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KNX9130A 40A/300V产品规格书
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IRFB4137的产品特征
MOS管 KNX9130A替代IRFB4137的产品特征如下：
1、改进的雪崩和动态的dV/dt坚固性
2、增强二极管dV/dt和dI/dt能力
3、无铅、符合RoHS标准
KNX9130A替代IRFB4137-MOS管 IRFB4137 38A/300V主要参数
型号：IRFB4137
参数：38A/300V
封装：TO-220
脉冲漏电流：152A
最大功耗:341W
线性递减因子:2.3W/℃
栅极到源极电压：±20V
二极管峰值恢复:8.9V/ns
漏源击穿电压:300V
栅极电阻:1.3Ω
MOS管 IRFB4137 38A/300V产品规格书
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