P沟MOS晶体管

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，叫源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有满足的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅外表呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压能够改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。假如N型硅衬底外表不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

P沟道MOS管的空穴迁移率低，因而在MOS管的几许尺寸和工作电压绝对值相等的状况下，PMOS管的跨导小于N沟道MOS管。此外，P沟道MOS管阈值电压的绝对值普通偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。这就给PMOS管的运用领域有了必定的限制。

PMOS管因逻辑摆幅大，充电放电进程长，加之器材跨导小，所以工作速度更低，在NMOS管电路呈现之后，大都已为NMOS电路所替代。仅仅，因PMOS管电路工艺简略，价钱低廉，有些中范围和小范围数字控制电路仍采用PMOS管电路技能。PMOS管的特性，Vgs小于必定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的状况（高端驱动）。

当然PMOS管能够很便当地用作高端驱动，但由于导通电阻大，交流种类少等缘由，在高端驱动中，一般还是运用NMOS管。正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必需与源极相连，而漏心极的电压Vds应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，一起为了在衬底顶外表左近构成导电沟道，栅极对源极的电压Vgs也应为负。