MOS管,KIA18N50H,18A/500V
MOS管KIA18N50H概述
KIA18N50H 是N沟道增强型硅栅功率MOSFET是为高功率器件设计的。电压、高速功率开关应用，如高效开关电源，功率因数校正。
MOS管KIA18N50H产品特征
RDS(on)=0.25?@VGS=10V
低栅电荷
快速切换能力
提高了dv/dt能力
MOS管 KIA18N50H 18A/500V封装
MOS管 KIA18N50H 18A/500V参数
工作方式：18A/500V
漏源电压：500V
栅源电压:±30V
脉冲漏电流:72A
峰值二极管恢复dv/dt:4.5V/ns
输入电容：2500pF
输出电容：400pF
连续漏源电流：18A
MOS管 KIA18N50H规格书
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