MOS管,KNX4760A,8A/600V
MOS管 KNX4760A产品特征
专业平面新技术
RDS(ON),typ.=0.85Ω@VGS=10V
低栅极电荷使开关损耗最小化
快恢复体二极管
MOS管 KNX4760A产品应用领域
适配器充电器
SMPS电源
液晶面板电源
MOS管 KNX4760A封装
MOS管 KNX4760A 8A/600V主要参数
漏源电压：600V
栅源电压:±30V
连续漏电流：8.0A
单脉冲雪崩能量：580MJ
峰值二极管恢复dv/dt：5.0V/ns
漏源击穿电压：600V
输入电容：1250pF
输出电容：110pF
反向转移电容：16pF
漏源二极管正向电压：1.5V
连续漏源电流：8A
MOS管 KNX4760A 8A/600V规格书
查看及下载规格书，请点击下图。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
