MOS管,KIA3508A替代FH80N07,70A/80V
MOS管 KIA3508A替代FH80N07公司概述
深圳市可易亚半导体科技有限公司（简称KIA半导体）.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
KIA半导体，已经拥有了独立的研发中心，研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队，可以快速根据客户应用领域的个性来设计方案，同时引进多台国外先进设备，业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。
MOS管KIA3508A替代FH80N07产品-MOS管KIA3508A简介
（一）MOS管KIA3508A产品特征
RDS（ON）=11mΩ（典型值）@ VGS=10v
100%雪崩测试
可靠、坚固耐用
无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准）
MOS管KIA3508A 70A/80V主要参数
产品型号：KIA3508
工作方式：70A/80V
漏源电压：80V
栅源电压：±25V
漏电流连续：70A
脉冲漏极电流：240A
雪崩电流：70A
漏源击穿电压：80V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：2900 PF
输出电容：290 PF
上升时间：11 ns
MOS管KIA3508A 70A/80V封装图
MOS管KIA3508A应用领域
开关中的应用
逆变电源的电源管理
MOS管KIA3508A 70A/80V规格书
查看及下载规格书，请点击下图。
MOS管KIA3508A替代FH80N07产品-MOS管FH80N07产品介绍
（一）MOS管FH80N07产品特点与描述
1、FHP80N07为低压大电流功率场效应管,广泛应用于电动车控制器和同步整流电路中。
2、80A ,70V
3、RDS(on)=6.8mΩ(typ)@VGS=10V
4、开关速度快
（二）MOS管FH80N07封装图
（三）MOS管FH80N07产品主要参数
漏-源电压：70V
漏极直流电流:80V
漏极直流电流＠TC=100℃:66A
最大脉冲漏极电流:320A
栅-源电压:±25V
耗散功率:150W
单脉冲雪崩击穿能量:315MJ
重复脉冲雪崩击穿能量:13MJ
二极管正向电流:80A
输入电容:3100pF
输出电容:440pF
反向传输电容:260pF
（四）MOS管FH80N07产品规格书
查看及下载规格书，请点击下图。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
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