MOS管,KNX3203B,100A/30V
MOS管 KNX3203B产品概述
RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V
使用CRM(CQ)先进的Trench MOS技术
极低的导通电阻RDS(on)
符合JEDEC标准
MOS管 KNX3203B产品应用领域
电机控制和驱动
电池管理
UPS
MOS管 KNX3203B 100A/30V参数
型号:KNX3203B
工作方式:100A/30V
漏源电压:30V
脉冲漏极电流:320A
雪崩能量,单脉冲:90MJ
栅源电压:±20V
功耗:101W
漏源击穿电压:30V
输入电容:2340pF
输出电容:460pF
反向转移电容:305pF
封装:TO-252
MOS管 KNX3203B电路特征
MOS管 KNX3203B 100A/30V
查看及下载规格书,请点击下图。
联系方式:邹先生
联系电话:0755-83888366-8022
手机:18123972950
QQ:2880195519
联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助