N沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS管的结构基本相同。差别在于耗尽型MOS管的Si02绝缘层中掺有大量的正离子Na+或K+（制造P沟道耗尽型MOS管时掺人负离子），故在UCs=0时，这些正离子产生的电场作用下，漏极一源极间的P型衬底表面也能感应天生N沟道（称为初始沟道），只要加上正向电压UDS，就有电流。假如加上正的UCs，栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的.
N沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS管的结构基本相同。差别在于耗尽型MOS管的Si02绝缘层中掺有大量的正离子Na+或K+（制造P沟道耗尽型MOS管时掺人负离子），故在UCs=0时，
这些正离子产生的电场作用下，漏极一源极间的P型衬底表面也能感应天生N沟道（称为初始沟道），只要加上正向电压UDS，就有电流。假如加上正的UCs，栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小。增大。反之UCs为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大。减少。当UCS负向增加到某一数值时，导电沟道消失。趋于零，管子截止，故称为耗尽型。
N沟道耗尽型MOSFET的结构与增强型MOSFET结构类似，只有一点不同，就是N沟道耗尽型MOSFET在栅极电压uGS=0时，沟道已经存在。该N沟道是在制造过程中应用离子注入法预先在衬底的表面，在D、S之间制造的，称之为初始沟道。N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如图1.（a）所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入
了大量的金属正离子。所以当VGS＝0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。当VGS＞0时，将使ID进一步增加。VGS＜0时，跟着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID＝0。对应ID＝0的VGS称为夹断电压，用符号VGS(off)表示，有时也用VP表示。N沟道耗尽型MOSFET的转移特性.
耗尽型MOS场效应管，是在制造过程中，预先在SiO2绝缘层中掺入大量的正离子，因此，在UGS=0时，这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够的电子，形成N型导电沟道。
当UDS>0时，将产生较大的漏极电流ID。假如使UGS<0，则它将削弱正离子所形成的电场，使N沟道变窄，从而使ID减小。当UGS更负，达到某一数值时沟道消失，ID=0。使ID=0的UGS我们也称为夹断电压，仍用UP表示。UGS
据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。耗尽型是指，当VGS=0时即形成沟道，加上准确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
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