CMD5950,5950,CMD5950参数
CMD5950产品概述
CMD5950采用先进的沟槽技术和设计，提供优良的低门电荷RDS（on），它可用于多种用途。
CMD5950特征
P沟道
低电阻
快速切换100%
雪崩测试
CMD5950参数
漏源电压：-100V
栅源电压：20V
连续漏电流：-35a
脉冲漏极电流：-105a
雪崩电流：- 35 A
总功耗：50w
储存温度范围：- 55至150
工作结温度范围：150℃
KIA35P10A产品概述
MOS管35P10产品特征
1、RDS(on)=42mΩ（typ)@VGS=10V
2、100%EAS保证
3、绿色设备可用
4、超低门电荷
5、Cdv/dt效应低
6、先进的高密度槽道技术
7、KIA35P10A采用先进的沟槽MOSFET技术，以提供优良的RS（ON）和门KIA35P10A符合RoHS和Green的要求，适用于多种用途。KIA35P10A产品要求：100%EAS保证，功能可靠。
MOS管35P10产品参数
产品型号：KIA35P10A
工作方式：-35A/-100V
漏源极电压：-100V
栅源电压：±20V
单脉冲雪崩能：345MJ
雪崩电流:28A
总功耗:104W
操作和储存温度范围：-55℃至+150℃
KIA35P10A应用领域
1、电动车防盗器
2、农机
KIA35P10A封装
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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