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NCE6080K匹配KIA产品3306
NCE6080K匹配KIA产品3306，KIA MOS管3306共有A和B两个规格书。下文会介绍3306和NCE6080K两个MOS管具体参数、封装与规格书等。
KIA半导体一直执行全面质量管理体系，是将所有产品质量从芯片设计开始，一直贯彻到客户使用的全过程质量跟踪和监控。我们确定在这一质量控制体系下生产的产品，在相关环节的质量状态和信息都是有效控制，确保提供给客户的产品是安全可靠的。
MOS管3306产品特征
1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V
2、无铅绿色设备
3、低电阻开关，减少导电损耗
4、高雪崩电流
MOS管3306产品主要参数
漏源极电压：60V
栅源电压：±25V
连续漏电流：80A/60A
脉冲漏电流：300A
雪崩电流：21.5A
雪崩能量：462.25MJ
MOS管3306规格书-A版
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MOS管3306规格书-B版
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NCE6080K产品特点
VDS=60V,ID =80A
RDS(ON)<8.5mΩ@VGS=10V
超低RDSON高密度电池设计
稳定性好，均匀性好，EAS高
良好的散热包装
NCE6080参数
NCE6080封装
MOS管 NCE6080 80A/60V规格书
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