结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和MOS管P沟道两种。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子介入导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子介入导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等长处，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强盛竞争者。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。
MOS场效应晶体管因为输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应留意以下规则：
（1）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。
（2）.掏出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
（3）.MOS器件出厂时通常装在玄色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装MOS场效应晶体管在使用时应留意分类，不能随意互换。
（4）. 焊接用的电烙铁必需良好接地。在检验电路时应留意查证原有的保护二极管是否损坏。
（7）. MOS场效应晶体管的栅极在答应前提下，最好接入保护二极管。
（5）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。拆机时顺序相反。
（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
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