KIA50N03A替代NCE3050 50A/30V 封装齐全 规格书下载
NCE3050替代MOS管
NCE3050可用KIA50N03A替代。深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
KIA半导体研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队，可以快速根据客户应用领域的个性来设计方案，同时引进多台国外先进设备，业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。强大的研发平台，使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项，并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。
从设计研发到制造再到仓储物流，KIA半导体真正实现了一体化的服务链，真正做到了服务细节全到位的品牌内涵，我们致力于成为场效应管（MOSFET）功率器件领域的领跑者，为了这个目标，KIA半导体正在持续创新，永不止步！
MOS管NCE3050产品特征
VDS=30V,ID=50A
RDS(ON)<11mΩ@VGS=10V
RDS(ON)<16mΩ@VGS=4.5V
超低RDSON高密度电池设计
稳定性好，均匀性好
良好的散热包装
高静电放电性能的特殊工艺技术
MOS管NCE3050产品应用领域
1、电源切换应用
2、开关和高频电路
3、不间断电源
MOS管NCE3050参数
MOS管NCE3050封装
MOS管NCE3050规格书详情
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NCE3050替代MOS管产品KIA50N03A
MOS管50N03产品特征-KIA50N03A
1、先进的沟槽处理技术
2、高密度超低电阻电池的设计
3、完全确定雪崩电压和电流
4、VDSS=30V,RDS(on)=6.5mΩ,ID=50A
5、Vds=30V
6、RDS(ON)=6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
7、RDS(ON)=9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
MOS管50N03产品主要参数-KIA50N03A
产品型号：KIA50N03A
工作方式：50A/30V
漏源极电压:30V
栅源电压:±20V
连续漏电流：50A
脉冲漏电流 ：200A
操作接头和存储温度范围:-55℃至150℃
结对壳热阻：1.8℃/W
对周围环境的电阻:50℃/W
KIA50N03A封装引脚图
KIA50N03A产品附件
以下为KIA50N03A产品PDF格式的产品详细资料，查看详情请点击下图。
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