新洁能 MOS管 NCE0115K可用KNX6610A替代 15A/100V 规格书
NCE0115K替代MOS管 KNX6610A
下文着重介绍NCE0115K与KNX6610A两款型号,主要从它们的功能及封装引脚图、规格书、参数、电路特征等知识汇总。
MOS管 KNX6610A产品概述
KNX6610A是最高性能的沟槽N-ch MOSFETS,具有极高的高单元密度。为大多数同步降压变换器的应用提供了优良的RDSON和栅极充电。KNX6610A符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证与可靠性。
MOS管 KNX6610A产品特征
RDS(ON)=70mΩ(typ.)@VGS=10V
先进的高单元密度沟槽技术
超低栅电荷
优异的CDV/DT效应
可用的绿色设备
MOS管 KNX6610A 15A/100V应用领域
1、高频点负载同步降压变换器
2、直流联网供电系统
3、负荷开关
MOS管 KNX6610A 15A/100V主要参数
型号:KNX6610A
工作方式:15A/100V
漏源极电压:100V
栅源电压:±20V
单脉冲雪崩能发电:7.3MJ
雪崩电流:11A
操作连接和贮存温度范围:-55至150℃
漏源击穿电压:100V
温度系数:0.098V/℃
前向跨导:13S
单脉冲雪崩能量:1.5MJ
二极管前置电压:1.2V
MOS管 KNX6610A封装图
MOS管 KNX6610A 15A/100V规格书
查看详情,请点击下图。
NCE0115K,NCE0115K参数,NCE0115K规格书
NCE0115K参数
漏源电压:100V
栅源电压:±20V
漏电流连续:15A
漏电流连续(TC=100℃):10.6A
脉冲漏电流:60A
最大功耗:50W
单脉冲雪崩能量:200MJ
漏源击穿电压:100V
输入电容:2000PF
输出电容:300PF
反向转移电容:250PF
MOS管NCE0115K应用领域
1、硬开关和高频电路
2、电源切换应用
MOS管NCE0115K封装引脚图
MOS管NCE0115K规格书详情
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