MOS管KIA2803A替代FDD8870 160A/30V 现货供应 原装正品
FDD8870替代MOS管-KIA2803A
KIA2803A可以替代FDD8870，KIA2803A MOS管是KIA半导体品牌，如您有需要或是想了解更多可以查看KIA官网或是致电KIA，我们将竭诚为您服务！
下面我们一起来看看KIA2803A和FDD8870这两个型号的具体参数、封装、电路特征等。
MOS管 FDD8870替代产品KIA2803A资料详情
（一）MOS管 KIA2803A特征
1、RDS（on）=2.2mΩ（类型）@VGS=10V
2、低导通电阻
3、100%雪崩试验
4、无铅、符合RoHS标准
（二）KIA2803A参数
产品型号：KIA2803A
工作方式：150A/30V
漏源极电压:30V
栅源电压:±20V
连续漏电流@VGS=10V,TC=25oC:150A
脉冲漏电流测试TC=25oC:600A
单脉冲雪崩能:625MJ
最大功率消耗TC=25oC:160W
最高温度:175℃
贮存温度范围：-55℃至+175℃
（三）KIA2803A封装图
（四）MOS管 KIA2803A规格书
查看及下载规格书，请点击下图。
MOS管 FDD8870产品资料详情
（一）MOS管 FDD8870产品概述
这种N沟道MOSFET是专门为提高DC/DC变换器的整体效率同步或常规开关PWM控制器。它已经针对低栅电荷、低栅电荷进行了优化。R-DS（开）和快速切换速度。
（二）MOS管 FDD8870特征
rDS(ON)=3.9mΩ,VGS=10V,ID=35A
rDS(ON)=4.4mΩ,VGS=4.5V,ID=35A
高性能沟槽技术，极低RDS（开）
低栅电荷
高功率和电流处理能力
（三）FDD8870参数
（四）MOS管 FDD8870封装引脚功能
（五）MOS管 FDD8870规格书
查看及下载规格书，请点击下图。
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