50A/ 30V 50N03 低内阻 3-4串保护板专用MOS管 封装类型多
3-4串保护板专用MOS管 50A/ 30V 50N03特性
VDSS =30V,R DS(on) =6.5mΩ,I D =50A
Vds=30V
RDS(ON) =6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
RDS(ON) =9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
3-4串保护板专用MOS管 50A/ 30V 50N03参数
产品型号:KIA50N03
工作方式:50A/30V
漏源电压:30V
栅源电压:±20A
漏电流连续:50A
脉冲漏极电流:200A
耗散功率TA=25℃:60W
耗散功率TA=25℃:23W
热电阻:50℃/W
漏源击穿电压:30V
零栅极电压漏极电流:1μA
输入电容:1300pF
输出电容:270pF
反向转移电容:145pF
3-4串保护板专用MOS管 50A/ 30V 50N03的电路特征
3-4串保护板专用MOS管 50A/ 30V 50N03封装图
3-4串保护板专用MOS管 50A/ 30V 50N03规格书
查看及下载规格书,请点击下图。
联系方式:邹先生
联系电话:0755-83888366-8022
手机:18123972950
QQ:2880195519
联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助