结型场效应管符号、结构、原理及主要参数等知识详解

什么是结型场效应管

结型场效应管符号与结构解析。结型场效应管（JFET，从英语junction-fet或者NIGFET，从英语non-insulated-gate-fet缩写而成）是单极场效应管中**简单的一种。它可以分n沟道或者p沟道两种。在下面的论述中主要以n沟道结型场效应管为例，在p沟道结型场效应管中n区和p区以及所有电压正负和电流方向正好颠倒过来。

结型场效应管符号与结构

结型场效应管符号与结构详解如下:

结型场效应管符号

结型场效应管是利用半导体内的电场效应工作的，分n沟道和p沟道两种。在一块n型半导体的两侧分别扩散出两个p型区，形成两个pn结，将两个p型区连接后形成一个电极g称为栅极，从n型半导体的上下两端各引出一个电极，其中s称为源极，d称为漏极，由于d、s间存在电流通道，故称为n沟道结型场效应管。p沟道结型场效应管的结构与n沟道型类似，它们的结构和电路符号如图所示。

n通道结型场效应管由一个被一个p型掺杂（阻碍层）环绕的n型掺杂组成。在n型掺杂上连有汲极（也称漏极，来自英语Drain，因此也称D极）和源极（来自英语Source，因此也称S极）。从源极到汲极的这段半导体被称为n通道。

结型场效应管符号

p区连有闸极（也称栅极，来自英语Gate，因此也成为G极）。这个极被用来控制结型场效应管，它与n通道组成一个pn二极管，因此结型场效应管与金属-氧化物-半导体场效应管类似，只不过在金属-氧化物-半导体场效应管中不是使用pn结，而是使用肖特基结（金属与半导体之间的结），在原理上结型场效应管与金属-氧化物-半导体场效应管是完全一样的。

结型场效应管符号-主要参数符号

1)夹断电压U。在UD为某一固定值下（如10V），使QS3251QG等于某一微小电流（如50mA）时，栅一源极间所加的偏压即为夹断电压，用U，表示。

2)饱和漏极电流，D在栅一源极之间的电压UG。=0的条件下，且U>U，时，对应的漏极电流称为饱和漏极电流，用，D表示，它是结型场效管所能输出的最大电流。

3)直流输入电阻Rc。直流输入电阻Rc。是在漏一源极间短路的条件下，栅一源极间加一定电压时，栅一源极间的直流电阻，用Rc。表示。

4)低频跨导当UD。为某一固定数值时，漏极电流的微小变化量与其对应的栅一源电压UG。的微小变化量之比为跨导。反映了栅源电压UG。对漏极电流，D的控制作用（相当于普通晶体管的），单位是mS（毫西）。需要指出的是，跨导g。与管子的工作电流有关，D越大，g就越大(注：跨导是电阻的倒数，毫安／伏( mA/V)与毫西( mS)表示的是一样的量纲）。

5)最大漏一源电压UD。最大漏一源电压是指漏极与源极之间的最大击穿电压，即管子沟道发生雪崩击穿引起，D急剧上升时的UD。值。UD。的大小与UG。有关，对N沟道而言，IU。I的值越大，则UD，越小。

结型场效应管原理解析

结型场效应管符号

n沟道输出特性曲线场

假如栅极没有被连上的话n沟道就像一个电阻一样。也就是说在栅极没有电压的情况下结型场效应管是导电的。假如栅极与源极连在一起，而源极和汲极之间加上了UDS的电压的话那么流过n沟道的电流随电压不断提高，直到沟道被**夹断位置。这个电压被称为夹断电压Up。即使UDS继续升高，漏电流ID几乎不变。夹断不再提高，而只是横向扩大，也就是说电压的继续提高被沟道吸收了。一般来说这是结型场效应管的工作区域，这个时候的漏电流被标志为IDSS。整个三极管在这个状态下可以被当作一个恒电流源使用，其电流为IDSS。

结型场效应管符号