射极开路的时分，集射极间能够承受的最大电压 。它是器件的最小额定电压。假设基射极间的电阻很小 （ 50 lOO!l） ，那么在关断状态下晶体管能够承受一个更高的电压。
大功率晶体管 （ 集电极无缓冲器） 关断时，典型的集电极电流F降和集射极间电压上升过程 2N6836 C 15A、850V ） 的MOS开关电路时间 晶体管能够安全承受的最高电压。这是在关断的瞬间呈现漏感尖峰时 ,晶体管能够承受的最大电压 。只需在关断期间，基极存在一个一I5V的反向尖峰电压时，晶体管才干承受这个电压。反向偏置的基极电压或电压尖峰必需由基极驱动电路提供 ，其持续时间必需大于漏感尖峰的持续时间 。
反向偏置安全工作区域。在关断期间，le-Vee曲线不能越过给出的边境。就算是一次越界也可能损坏晶体管，由于电流会集中在芯片的某个小部分 ，招致局部过热 。若在关断瞬 间加上］～5V的反偏电压，可工作在边境以内。若关断时 Vbe=O ，则晶体管只能工作在区域内 .能同时满足高、低卢值的晶体管工作恳求的设计方案产品的卢值的离散性很大，可能相差4倍之多。假设基极电流可以较好的驱动卢值低的晶体管，那么它将对F值高的晶体管构成很强的过驱动 ，招致过长的储存时间 。假设要缩短过 长的储存时间 ，需求的反向基极电流就会相当大 。
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