MOS管 10N65 10A/650V参数 原厂供货 性价比高 质量好
MOS管 10N65 10A/650V产品概述
这款KIA10N65H是N沟道增强型硅栅功率MOSFET，用于高压、高速电源开关应用，如高效率开关电源电源，有源功率因数校正，基于半桥的电子灯镇流器等。
MOS管 10N65 10A/650V产品特点
RDS(on)=0.65Ω@VGS=10V
低栅极充电（典型48nC）
快速切换能力
改进的dv/dt能力
MOS管 10N65 10A/650V产品主要参数
型号：KIA10N65H
工作方式：10A/650V
漏源电压：650V
栅源电压：±30V
漏电流脉冲：40.0*A
峰值二极管恢复dv/dt：4.5V/ns
MOS管 10N65 10A/650V产品封装图
MOS管 10N65 10A/650V产品规格书
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