MOS管 4665A 7.5A/650V规格书参数、封装 原厂直销 免费送样
MOS管原厂简介
1、品牌：KIA
2、KIA半导体官网：www.kiaic.com （欢迎咨询，KIA半导体专业制造MOS管，会给客户提供优越的售后技术服务及前期的免费送样等）
3、KIA公司简介：深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
强大的研发平台，使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项，并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。
KIA半导体从设计研发到制造再到仓储物流，KIA半导体真正实现了一体化的服务链，真正做到了服务细节全到位的品牌内涵，我们致力于成为场效应管（MOSFET）功率器件领域的领跑者，为了这个目标，KIA半导体正在持续创新，永不止步！
MOS管 4665A 7.5A/650V产品简介
这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的平面条纹DMOS技术生产的。这个先进的技术是特别定制的，可将通态电阻降到最低，提供优良的开关性能，能承受雪崩和交换模式下的高能脉冲。这个MOS管非常适合高效率开关电源，有源功率因数校正基于半桥拓扑等。
KIA半导体是提供免费送样及技术服务的，给客户提供优质的产品及售后服务，我们产品都是待载168小时持续高温老化检测及11项参数检测的。
MOS管 4665A 7.5A/650V产品特点
7.5A, 650V, RDS(on)typ.=1.1Ω@VGS=10V
低栅极电荷（典型25nC）
耐用度高
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力
MOS管 4665A 7.5A/650V产品主要参数
型号：KNF4665A
电流/电压：7.5A/650V
漏源电压：650V
栅源电压：±30V
单脉冲雪崩能量：230MJ
雪崩电流：7.5A
重复雪崩电压：21MJ
峰值二极管恢复dv/dt：4.5V/ns
MOS管 4665A 7.5A/650V产品封装图
MOS管 4665A 7.5A/650V产品规格书详情
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