晶体管之BJT、FET、CMOS、HBT、HEM分析
咱们常用的有场效应晶体管FET，Field Effect Transistor，是一种单极型晶体管。利用的一个PN结完成功能。
另一种常用的晶体管是双极型晶体管，Bipolar Junction Transistor，利用两个PN结完成功能。
单极型的晶体管，优点是尺寸小、输入阻抗大，功耗低（CMOS是两个单极型晶体管的组合，功耗很低），非常适合DSP、MCU等数字信号处理芯片。
双极型晶体管，优点是频率高，驱动能力大，噪声低。非常适合激光驱动，放大器等模拟芯片。
在同一片晶圆内，一部分做CMOS结构，另一部分做FJT的结构，那就是咱们俗称的BiCMOS工艺。
单极型的器件，也可以继续提升自己的性能，比如把同质结改为异质结，可以大大的提高电子迁移率，那就是常说的HEMT。异质结的材料，以用GaAs为多。
异质结比同志结，有更好的电子迁移率，也就是能有更高频率和更低噪声。
同样，双极型器件，也可以继续提升自己的性能，同样抱有大的驱动能力，同时通过使用异质结的方式来提高频率和降低噪声。
另外，单极型的FET，结构如下图所示，电子移动的方向是平行于wafer表面的，也叫做平面器件。
双极型的BJT，下图右，电子移动的方向是垂直于wafer表面的，也叫做体结构，或者叫垂直器件。
器件的结构与总的尺寸相关，也就是与成本有关。
咱常听到的，芯片厂说，我们用GeSi工艺，所以贵。这里头，一方面用了双极型结构设计，有更好的模拟特性，本身贵一些。另一方面，是用了GeSi，和Si形成异质结，进一步提高模拟性能（更高频、更低噪），成本也进一步提高。
而用GaAs的贵，是因为GaAs的片子很小，做一次出不来几颗芯片。GaAs的wafer尺寸和Si基的wafer尺寸（FET、BJT都可以用si做），相当于南方喝早茶的碟子，对比北方的大锅盖。良率不同，导致GaAs的成本超高。
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