mos管开关电路-mos管电子开关实现多点控制是如何做到的
mos管开关电路
MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。
P沟道MOS管开关电路
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。
N沟道mos管开关电路
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。
mos管电子开关实现多点控制详解
mos管电子开关实现多点控制电路是由约翰·伦德格伦改编自“拨动开关去抖的按钮”。需要从一个位置接通和从另一个位置关掉负载，这个电路是有用的。任何数量的瞬间（N / O）开关或按钮可并行连接。
在原理图上的左侧的组合（10K，10uF和二极管）保证了电路接通电源时保持负载断开状态。如果初始上电状态不是一个问题，这些组件可以被省略。
当开关按下时，1uF电容被连接到220欧姆和33K电阻连接点，NPN晶体管截止，mos管导通开启负载。释放按钮后，1uF电容通过1M电阻充电。第二次按下开关，1uF电容充电后的电压被加载到NPN晶体管基极，晶体管导通，mos管关闭，负载断电。
当开关按下时，1uF电容被连接到220欧姆和33K电阻连接点，NPN晶体管截止，mos管导通开启负载。释放按钮后，1uF电容通过1M电阻充电。第二次按下开关，1uF电容充电后的电压被加载到NPN晶体管基极，晶体管导通，mos管关闭，负载断电。
在晶体管的基极加入0.1uF电容，拦截噪声可能造成的误触发，如果开关位于远离电路。使用12伏，25瓦特汽车灯，和IRFZ44的电路进行了测试。其他的MOSFET大概可以使用。
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