FET晶体管类型和MOS管工作原理、应用及作用图文解析

什么是FET（场效应晶体管）

FET，也称为单极晶体管，是用于控制器件电性能的晶体管。FET具有非常高的输入阻抗（在JFET的情况下为100兆欧姆，在MOSFET的情况下为10 4至10 9兆欧），普通晶体管的主要缺点即输入阻抗低，从而加载了信号源在FET中。因此，FET是几乎在每种可以使用晶体管的应用中使用的理想器件。FET由于其高输入阻抗而被广泛用作示波器，电子电压表和其他测量和测试设备中的输入放大器。

1. 由于FET芯片与BJT芯片相比占据非常小的空间，因此FET广泛用于IC中。

2. FET用作运算放大器（运算放大器）和音调控制等中的电压可变电阻器（WR），用于FM和TV接收器以及逻辑电路中的混频器操作。

3. FET通常用于数字开关电路，尽管它们的工作速度较低。

FET晶体管的类型

FET有两种类型--JFET或MOSFET。

结FET晶体管是一种场效应晶体管，可用作电控开关。电能流过源极与漏极端子之间的有源沟道。通过向栅极端子施加反向偏压，沟道变形，从而完全切断电流。

结FET晶体管的两种极性

N-沟道JFET

N沟道JFET由n型棒构成，在其两侧掺杂有两个p型层。电子通道构成器件的N通道。在N沟道器件的两端形成两个欧姆接触，它们连接在一起形成栅极端子。源极和漏极端子取自棒的另外两侧。源极和漏极端子之间的电位差称为Vdd，源极和栅极端子之间的电位差称为Vgs。电荷流动是由于电子从源极到漏极的流动。

每当在漏极和源极端子上施加正电压时，电子从源极“S”流到漏极“D”端子，而传统的漏极电流Id流过漏极到源极。当电流流过器件时，它处于导通状态。当负极性电压施加到栅极端子时，在沟道中产生耗尽区。沟道宽度减小，因此增加了源极和漏极之间的沟道电阻。由于栅极源极结是反向偏置的，并且器件中没有电流流动，因此它处于关闭状态。

因此，基本上如果在栅极端子处施加的电压增加，则较少量的电流将从源极流到漏极。N沟道JFET具有比P沟道JFET更大的导电性。因此，与P沟道JFET相比，N沟道JFET是更有效的导体。

P沟道JFET

trzvp2106P沟道JFET由P型棒构成，在其两侧掺杂n型层。通过在两侧连接欧姆接触来形成栅极端子。与N沟道JFET一样，源极和漏极端子取自棒的另外两侧。在源极和漏极端子之间形成由作为电荷载流子的空穴组成的AP型沟道。

P沟道JFET棒

施加到漏极和源极端子的负电压确保从源极到漏极端子的电流流动，并且器件在欧姆区域中操作。施加到栅极端子的正电压确保了沟道宽度的减小，从而增加了沟道电阻。更正的是栅极电压; 流过设备的电流越少。

p沟道结型FET晶体管的特性

下面给出p沟道结型场效应晶体管的特性曲线和晶体管的不同工作模式。

截止区域：当施加到栅极端子的电压足够正以使沟道宽度最小时，没有电流流动。这导致设备处于切断区域。

欧姆区：流过器件的电流与施加的电压成线性比例，直到达到击穿电压。在该区域中，晶体管显示出对电流的一些阻力。

饱和区：当漏源电压达到一个值，使得流过器件的电流随漏源电压恒定并且仅随栅源电压变化，该器件称为饱和区。

击穿区域：当漏极源极电压达到导致耗尽区域击穿的值，导致漏极电流突然增加时，该器件被称为击穿区域。当栅极源极电压更正时，对于较低的漏极源电压值，可以提前达到该击穿区域。

MOSFET晶体管

MOSFET晶体管顾名思义是p型（n型）半导体棒（具有扩散到其中的两个重掺杂n型区域），其表面上沉积有金属氧化物层，并且从该层取出空穴以形成源极和漏极端子。在氧化物层上沉积金属层以形成栅极端子。场效应晶体管的基本应用之一是使用MOS晶体管作为开关。

这种类型的FET晶体管具有三个端子，即源极，漏极和栅极。施加到栅极端子的电压控制从源极到漏极的电流流动。金属氧化物绝缘层的存在导致器件具有高输入阻抗。

基于工作模式的MOSFET晶体管类型

MOSFET晶体管是最常用的场效应晶体管类型。MOSFET工作以两种模式实现，基于哪种MOSFET晶体管被分类。增强模式下的MOSFET工作包括逐渐形成沟道，而在耗尽型MOSFET中，它由已经扩散的沟道组成。MOSFET的高级应用是CMOS。

增强型MOSFET晶体管

当负电压施加到MOSFET的栅极端子时，带正电荷的载流子或空穴在氧化物层附近更多地累积。从源极到漏极端子形成沟道。

随着电压变得更负，沟道宽度增加并且电流从源极流到漏极端子。因此，随着施加的栅极电压的电流“增强”，该器件被称为增强型MOSFET。

耗尽型MOSFET晶体管

耗尽型MOSFET由在漏极 - 源极端子之间扩散的沟道组成。在没有任何栅极电压的情况下，由于沟道，电流从源极流向漏极。

当该栅极电压为负时，正电荷在沟道中累积。这导致通道中的耗尽区域或不动电荷区域并阻碍电流的流动。因此，当耗尽区的形成影响电流时，该器件称为耗尽型MOSFET。

涉及MOSFET作为开关的应用

控制BLDC电机的速度

MOSFET可用作开关以操作DC电机。这里使用晶体管来触发MOSFET。来自微控制器的PWM信号用于接通或断开晶体管。

来自微控制器引脚的逻辑低电平信号导致OPTO耦合器工作，在其输出端产生高逻辑信号。PNP晶体管截止，因此MOSFET被触发并接通。漏极和源极端子短路，电流流向电动机绕组，使其开始旋转。PWM信号确保电机的速度控制。

驱动一系列LED：

作为开关的MOSFET操作涉及应用控制LED阵列的强度。这里，由来自外部源（如微控制器）的信号驱动的晶体管用于驱动MOSFET。当晶体管关断时，MOSFET获得电源并接通，从而为LED阵列提供适当的偏置。

使用MOSFET开关灯：

MOSFET可用作开关来控制灯的开关。此外，MOSFET也使用晶体管开关触发。来自外部源（如微控制器）的PWM信号用于控制晶体管的导通，因此MOSFET接通或断开，从而控制灯的开关。

mos管的作用

1、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2、很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3、可以用作可变电阻。

4、可以方便地用作恒流源。

5、可以用作电子开关。

MOS管为压控元件，你只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通，它的导通就像三极管在饱和状态一样，导通结的压降最小。这就是常说的精典是开关作用。去掉这个控制电压经就截止。我们知道MOS管对于整个供电系统起着稳压的作用，但是MOS管不能单独使用，它必须和电感线圈、电容等共同组成的滤波稳压电路，才能发挥充分它的优势。

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