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什么是双栅场效应管 原理及检测方法详解与作用是什么-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2020-08-20 

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什么是双栅场效应管 原理及检测方法详解与作用是什么

什么是双栅场效应管

双栅场效应管有一个源极、一个漏极和两个栅极,在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻,其中两个栅极是互相独立的,使得它可以用来作高频放大器、混频器、解调器及增益控制放大器等。


双栅场效应管的原理解析

双栅场效应管也称为双栅mos管。它是一个管子中有两个控制极。从结构上来看可以认为是两个单栅场效应管的串联,增加了第二栅极g2,它具有一定的屏蔽作用,使得漏极与第一栅极之间的反馈电容变得很小,如彩色电视机高频调作用的双栅场效应管高频放大器。双栅场效应管高频放大器从结构上来说可以认为是共源-共栅放大器的形式。值得注意的是栅g2的电压时可以改变场效应管正向传输特性曲线的斜率,从而改变高频放大器的增益。


双栅场效应管的检测方法

1.判定栅极g

将万用表拨至r×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此脚为g极,因为它和另外两个管脚是绝缘的。


2.判定源极s、漏极d

由图1可见,在源-漏之间有一个pn结,因此根据pn结正、反向电阻存在差异,可识别s极与d极。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是s极,红表笔接d极。


3.测量漏-源通态电阻rds(on)

将g-s极短路,选择万用表的r×1档,黑表笔接s极,红表笔接d极,阻值应为几欧至十几欧。 由于测试条件不同,测出的rds(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表r×1档实测一只irfpc50型vmos管,rds(on)=3.2w,大于0.58w(典型值)。


4.检查跨导

将万用表置于r×1k(或r×100)档,红表笔接s极,黑表笔接d极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有明显偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高。


双栅场效应管作用

双栅场效应管T可用来构成可控增益放大器,输入信号加在G1 上, G2交流接地,改变加在G2上的偏压,就可控制放大器的增益。图4-5 所示是双栅场效应管4DO1的引脚分布图。双栅场效应管多用于可控增益放大器和高频电子线路中。

双栅场效应管


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