mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是能够对调的，他们都是在P型backgate中构成的N型区。在多数状况下，这个两个区是一样的，即便两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被以为是对称的。三极管，是一种电流控制电流的半导体器件-其作用是把微小信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体根本元器件之一，具有电放逐大作用，是电子电路的中心元件。三极管是在一块半导体基片上制造两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分红三局部，中间局部是基区，两侧局部是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.
功耗问题：三极管损耗大。
驱动才能：mos管常用来电源开关，以及大电流中央开关电路。
MOS管用于高频高速电路，大电流场所，以及对基极或漏极控制电流比拟敏感的中央。普通来说低本钱场所，普通应用的先思索用三极管，不行的话思索MOS管实践上说电流控制慢，电压控制快这种了解是不对的。要真正了解得理解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才干明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正导游通电压（工程上普通以为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时假如集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实践上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区抵达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持均衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程相似一个雪崩过程。集电极的电子经过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，假如这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到均衡状态，这个过程需求时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因而能够用作高速开关管。
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