Mosfet过流保护电路工作原理及技术特征-KIA MOS管

Mosfet过流保护电路

对一个成功设计的来说保护电路是至关重要的。我们来看看如何用运放打造一个过流保护电路。

Mosfet过流保护常用于电源电路中，用于限制电源的输出电流。“过流”这个词是指负载上的电流超过了电源的供给限度。这是很危险的情况，而且很可能对电源造成损害。所以工程师们常用过流保护电路来将负载与电源的连接断开，从而保护两者。

使用运放打造过流保护

过流保护电路有许多种；其复杂程度取决于过流时保护电路的反应速度有过快。这里我们来介绍使用运放打造的过流保护电路，该设计可以轻易加入设计中去。该设计加入了可调的过流阈值，同时还有失效时自动重启功能。因为这是一个基于运放的过流保护电路，所以我们加入了运放作为驱动，这里用的是常见的LM358。下图为LM358的引脚图。

上图可以看出，在这个IC内有两个运放通道。然而我们只需要用到其中的一个。运放需要通过MOSFET来闭合（断开）输出负载。这里我们采用N通道的MOSFET IRF540N。如果负载电流大于500mA的话，建议使用合适的MOSFET散热器。以下是IRF540N的引脚图。

为了给运放和电路供电，还用到了LM7809线性稳压器。这是一个9V 1A的线性稳压器，且输入电压范围广。其引脚图如下

所需元器件

至少12V的电源

LM358

IRF540N

100uf/25V的电容

散热器

50kΩ电位计

精度1%的1kΩ和100kΩ电阻

1MΩ电阻

1Ω分流电阻，额定功率为2W

Mosfet过流保护电路

过流保护电路的设计思路是这样的，运放来感知电路是否有过流发生，基于结果我们驱动MOSFET来将负载与电源相连/断开。电路图如下。

过流保护电路的工作原理

可以从上述电路图看出，MOSFET IRF540N在正常与过流情况下控制负载的连接与关断。但在关闭负载之前，检测到负载电流很重要。而用于检测电流的方法就是通过分流电阻R1，这是一个1Ω2W的分流电阻。其测量电流方法被称为分流电阻检流。

当MOSFET导通时，负载电流从MOSFET的漏极流向源极，最后通过分流电阻导向GND。基于负载电流，分流电阻会产生一个压降，这样我们可以用欧姆定律来进行计算。假设1A的负载电流，则分流电阻上的压降为1V，因为V=I x R。所以将该电压与使用运放时的预设电压相比，我们就可以检测到过流并改变MOSFET的状态，从而切断负载。

运放常被用于数学运算，比如加法，减法和乘法等。然而，这个电路中，LM358的配置为比较器。由图可知，该比较器会比较两个值的大小。第一个值是分流电阻间的压降大小，第二个值是用可调电阻或电位计RV1生成的预设电压（参考电压）。RV1的作用是分压器。分流电阻间的压降则导入比较器的反向引脚，而参考电压则连接到比较器的同向引脚。

正因如此，如果感应电压小于参考电压的话，比较器会在输出生成正电压（接近比较器的VCC），反之则为负电压（接地，所以此处为0V）。因此电压足够控制MOSFET的开关。

处理暂态响应/稳定性的问题

但当大负载与电源断开连接时，瞬间的改变会在比较器上产生一个线性区间，这会造成一个循环导致比较器无法正常开关负载，且运放会变得不稳定。比如，假设用电位计将1A设置为MOSFET关断的阈值。这时，比较器检测到分流电阻间的压降为1.01V，那么比较器会断开负载。暂态响应提高了参考电压，迫使比较器在一个线性区间工作。

解决该问题的最好办法就是在比较器上使用稳定的电源，这样瞬态改变不会影响比较器的输入电压和参考电压。不仅如此，比较器上需要加入额外的滞后。在该电路中，我们使用的是线性稳压器LM7809和滞后电阻R4,100kΩ的电阻。LM7809位比较器提供了合理的电压，这样电源线上的暂态改变不会影响比较器。C1,100uF电容则用于输出电压的滤波。

滞后电阻R4将小部分输入导入到运放输出上，从而在低阈值（0.99V）和高阈值（1.01V）间创造了一个电压差。这样达到阈值后比较器不会立即改变状态，不仅如此，要使状态从高到低，那么检测电压应低于低阈值（比如0.97V而不是0.99V），而要从低到高，检测电压应高于高阈值（比如1.03而不是1.01）。这会提升比较器的稳定性，并减少错误出发的情况。R2和R3则用于控制MOSFET栅极，R3是MOSFET栅极下拉电阻。

MOS管过流保护电路制作技术特征

MOS管过流保护电路，用于与MOS管连接，其特征在于，所述MOS管过流保护电路包括第一电容(C1)、充电电路(L1)、放电电路(L2)与MOS管断开电路(L3)；所述第一电容(C1)串联在MOS管的S极与MOS管的D极之间；

所述充电电路(L1)与放电电路(L2)并联后串联在所述第一电容(C1)与MOS管驱动电路之间，所述充电电路(L1)用于根据MOS管驱电路传输的MOS管导通信号，并对所述第一电容(C1)充电，使所述第一电容(C1)的充电电压随MOS管的导通电压VDS同步升降；

所述放电电路(L2)用于根据MOS管驱动电路传输的MOS管断开信号，并对所述第一电容(C1)完全放电；所述MOS管断开电路(L3)串联在所述第一电容(C1)与MOS管的G极之间，用于在所述第一电容(C1)的充电电压超过预设稳压值时，将MOS管的G极电压降低，从而使MOS管断开。

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