场效应管的组成及场效应管的三种组态电路详解-KIA MOS管
场效应管的组成
历史
场效应管的组成，场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明，但是实用的器件一直到1952年才被制造出来（结型场效应管，Junction-FET，JFET）。
1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET），从而大部分代替了JFET，对电子行业的发展有着深远的意义。
电极
所有的FET都有栅极（gate）、漏极（drain）、源极（source）三个端，分别大致对应BTJ的基极（base）、集电极（collector）和发射极（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被称为体（body）、基（base）、块体（bulk）或衬底（substrate）。
这个第四端可以将晶体管调制至运行；在电路设计中，很少让体端发挥大的作用，但是当物理设计一个集成电路的时候，它的存在就是重要的。在图中栅极的长度（length）L，是指源和漏的距离。宽度（width）是指晶体管的范围，在图中和横截面垂直。通常情况下宽度比长度大得多。长度1微米的栅极限制最高频率约为5GHz，0.2微米则是约30GHz。
组成
场效应管的组成，FET由各种半导体构成，目前硅是最常见的。大部分的FET是由传统块体半导体制造技术制造，使用单晶半导体硅片作为反应区，或者沟道。
场效应管的三种组态电路
场效应管与三极管相同，也具有拓宽效果，但它与通常晶体管电流操控型器材相反，场效应管是电压操控型器材。它具有输入阻抗高、噪声低的特征。
场效应管的三个电极，栅极、源极和漏极别离恰当于三极管的基极、发射极和集电极。如图所示是场效应管三种组态电路，即共源极、共漏极和共栅极拓宽器。图 （a）所示是共源极拓宽器，它恰当于三极管中的共发射极拓宽器，是一种最常用电路。
场效应管三种组态电路：图（b）所示是共漏极拓宽器，恰当于三极管共集电极拓宽器，输入信号从漏极与栅极之间输入，输出信号从源极与漏极之间输出，这种电路又称为源极输出器或源极跟从器。图（c）所示是共栅极拓宽器，它恰当于三极管共基极拓宽器，输入信号从栅极与源极之间输入，输出信号从漏极与栅极之间输出。这种拓宽器的高频特性比照好。
场效应管放大电路有哪三种组态?
1.电路结构
RG1. RG2为分压电阻,RG2上的压降为场效应管的栅极提供偏置电压故该电路称为分压式自偏压放大电路。RG3上没有电流,对电路的静态工作点没有影响,RD为源极电阻。
2.静态分析
主要求解场效应管的IDQ、UGsQ、UDsQ如图1所示电路的直流通路如图2所示,由于RG3.上没有电流,故没有绘制在直流通路中。
3.动态分析
如图1所示电路的小信号等效电路如图3所示。
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