用通俗易懂的话让你明白场效应管是什么-KIA MOS管
用通俗易懂的话让你明白场效应管-就是一个电控开关！
场效应管在mpn中，它的长相和我们前面讲的三极管极像，统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC统统称作“三个脚的管管”。
表示，关于它的构造原理由于比较抽象，我们是通俗化讲它的使用，所以不去多讲，由于根据使用的场合要求不同做出来的种类繁多，特性也都不尽相同;我们在mpn中常用的一般是作为电源供电的电控之开关使用，所以需要通过电流比较大，所以是使用的比较特殊的一种制造方法做出来了增强型的场效应管（MOS型），它的电路图符号：
仔细看看你会发现，这两个图似乎有差别，对了，这实际上是两种不同的增强型场效应管，第一个那个叫N沟道增强型场效应管，第二个那个叫P沟道增强型场效应管，它们的的作用是刚好相反的。前面说过，场效应管是用电控制的开关，那么我们就先讲一下怎么使用它来当开关的，从图中我们可以看到它也像三极管一样有三个脚，这三个脚分别叫做栅极（G）、源极（S）和漏极（D）。
1脚就是栅极，这个栅极就是控制极，在栅极加上电压和不加上电压来控制2脚和3脚的相通与不相通，N沟道的，在栅极加上电压2脚和3脚就通电了，去掉电压就关断了，而P沟道的刚好相反，在栅极加上电压就关断（高电位），去掉电压（低电位）就相通了。
我们常见的2606主控电路图中的电源开机电路中经常遇到的就是P沟道MOS管：
这个图中的SI2305就是P沟道MOS管，由于有很多朋友对于检查这一部分的故障很茫然，所以在这里很有必要讲一下它的工作原理，来加深一下你的印象！
图中电池的正电通过开关S1接到场效应管Q1的2脚源极，由于Q1是一个P沟道管，它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压，所以不能通电，电压不能继续通过，3v稳压IC输入脚得不到电压所以就不能工作不开机。
这时，如果我们按下SW1开机按键时，正电通过按键、R11、R23、D4加到三极管Q2的基极，三极管Q2的基极得到一个正电位，三极管导通（前面讲到三极管的时候已经讲过），由于三极管的发射极直接接地，三极管Q2导通就相当于Q1的栅极直接接地，加在它上面的通过R20电阻的电压就直接入了地，Q1的栅极就从高电位变为低电位，Q1导通电就从Q1同过加到3v稳压IC的输入脚，3v稳压IC就是那个U1输出3v的工作电压vcc供给主控；
主控通过复位清0，读取固件程序检测等一系列动作，输处一个控制电压到PWR_ON再通过R24、R13分压送到Q2的基极，保持Q2一直处于导通状态，即使你松开开机键断开Q1的基极电压，这时候有主控送来的控制电压保持着，Q2也就一直能够处于导通状态，Q1就能源源不断的给3v稳压IC提供工作电压。
SW1还同时通过R11、R30两个电阻的分压，给主控PLAYON脚送去时间长短、次数不同的控制信号，主控通过固件鉴别是播放、暂停、开机、关机而输出不同的结果给相应的控制点，以达到不同的工作状态。
mpn中常见的场效应管多是P沟道的，在它的上面经常见到的印刷标志是：A2sHB、212T、212N、076A、AOGH、N57T、R1SG、S016J、S026I等
上图是一个有主控控制耳机有没有声音输出的电路图，声音的左右声道分别通过隔直流电容C13、C14和电阻R51、R52送到耳机孔，但是在电阻R51、R52和耳机孔之间却接入了一个N沟道的mos场效应管，这个场效应管的栅极连接在一起受着MUTE的控制，当MUTE的地方处于高电位时候，Q4、Q5导通，就会把声音通过Q4、Q5入地，耳机里就不会有声音了，当MUTE的地方处于低电位时候，Q4、Q5关断，声音就只有通过耳机而发出声音了。
上面这个图是瑞芯微2608主控常见的电源开机电路，它与2606主控的电源开机电路有什么不同？你是不是发现比2606主控的电源开机电路多了一个MOS场效应管？这两个源极相连的场效应管与2606开机电路的一个场效应管有什么不同？
原来场效应管的栅极控制是有一个原则的：P沟道的栅极控制电压必须是相对源极输入高低电位来说的，所以在电路中源极和漏极是不能接反的，即源极必须接输入，漏极必须接输出，如果接反了就不能正常工作，mpn电路中，当usb接入的时候，必须要立即切断电池供电改换由usb供电，才能正常工作；
如果不能切换电池供电，usb就不能正常工作（无法识别），2606主控的电路切换指令是由主控发出的，使用的是电池电源控制即电池回路，所以用一个场效应就能够控制了。仔细看一下2608的电路中电源切换是靠三极管Q7控制的，Q7的导通与截至是由usb电压来控制的，这是另一组电源，这组电源要想控制一个有极性的场效应管是不行的，所以我们就用两个MOS场效应管，源极相连联结成一个无极性场效应管就达到了双电源控制的目的。
场效应管工作原理
用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
