1、芯片发热
本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假定芯片耗费的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会惹起芯片的发热。驱动MOS管芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的耗费，简单的计算公式为I=cvf（思索充电的电阻效益，理论I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必需想方法降低c、v和f.假定c、v和f不能改动，那么请想方法将芯片的功耗分到芯片外的器件，留意不要引入额外的功耗。再简单一点，就是思索更好的散热吧。
2、功率管发热
关于这个问题，也见到过有人在电源网论坛发过贴。功率管的功耗分红两局部，开关损耗和导通损耗。要留意，大多数场所特别是LED市电驱动应用，开关损伤要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动才干和工作频率有关，所以要处置功率管的发热能够从以下几个方面处置：
A、不能片面依据导通电阻大小来选择MOS功率管，由于内阻越小，cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF左右，2N60的cgs为350pF左右，5N60的cgs为1200pF左右，差异太大了，选择功率管时，够用就能够了。
B、剩下的就是频率和芯片驱动才干了，这里只谈频率的影响。频率与导通损耗也成正比，所以功率管发热时，首先要想想是不是频率选择的有点高。想方法降低频率吧！不过要留意，当频率降低时，为了得到相同的负载才干，峰值电流必然要变大或者电感也变大，这都有可能招致电感进入饱和区域。假定电感饱和电流够大，能够思索将CCM（连续电流方式）改动成DCM（非连续电流方式），这样就需求增加一个负载电容了。
3、工作频率降频
这个也是用户在调试过程中比拟常见的现象，降频主要由两个方面招致。输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。关于前者，留意不要将负载电压设置的太高，固然负载电压高，效率会高点。关于后者，能够尝试以下几个方面：a、将最小电流设置的再小点;b、布线洁净点，特别是sense这个关键途径;c、将电感选择的小点或者选用闭合磁路的电感;d、加RC低通滤波吧，这个影响有点不好，C的分歧性不好，倾向有点大，不过关于照明来说应该够了。无论如何降频没有益处，只需害处，所以一定要处置。
4、电感或者变压器的选择
终于谈到重点了，我还没有入门，只能瞎说点饱和的影响了。很多用户反响，相同的驱动电路，用a消费的电感没有问题，用b消费的电感电流就变小了。遇到这种状况，要看看电感电流波形。有的工程师没有留意到这个现象，直接调理sense电阻或者工作频率抵达需求的电流，这样做可能会严重影响LED的运用寿命。所以说，在设计前，合理的计算是必需的，假定理论计算的参数和调试参数差的有点远，要思索能否降频和变压器能否饱和。变压器饱和时，L会变小，招致传输delay惹起的峰值电流增量急剧上升，那么LED的峰值电流也跟着增加。在均匀电流不变的前提下，只能看着光衰了。
5、LED电流大小
大家都晓得LEDripple过大的话，LED寿命会遭到影响，影响有多大，也没见过哪个专家说过。以前问过LED厂这个数据，他们说30%以内都能够承受，不过后来没有经过考证。倡议还是尽量控制小点。假定散热处置的不好的话，LED一定要降额运用。也希望有专家能给个细致指标，要不然影响LED的推行。
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