场效应管与晶体管的比较，区别详细分析-KIA MOS管
场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。
（2）场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适。
（3）场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。
（4）场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅-源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。
（5）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
场效应管与晶体管的比较-结构异同
电极使用
双极型晶体管:分为基极(b)集电极(c)，发射极(e)。其中c、e电极不能互换使用
场效应管:分为栅极(g) ，源极(s)，漏极(d) 。其中d、s一般可以互换使用
载流子与输入量
双极型晶体管:载流子有多子、少子两种。输入量为电流。
场效应管:载流子为一种(空穴或自由电子)。输入量为电压。
输入电阻
双极型晶体管:低(几十欧到几千欧)
场效应管:高(几兆欧以上)，iG≈0
双极性晶体管：
电流控制电流源CCCS(β)，噪声系数较大，热稳定性差，不易受静电影响，不易大规模集成，大电流特性好，耗电多，电源电压范围窄。
场效应管:
电压控制电流源VCCS(gm)，噪声系数较小，热稳定性较好，易受静电影响，适宜大规模和超大规模集成，大电流特次之，耗电省，电源电压范围宽。
电极
双极型晶体管的基极B、发射极E、集电极C与场效应管的栅极G、源极S和漏极D相对应。
放大电路
场效应管基本放大电路由三种组态，即共栅组态基本放大电路、共源组态基本放大电路和共漏组态机基本放大电路，与双极型晶体管基本放大电路的共基组态基本放大电路、共射组态基本放大电路和共集组态基本放大电路相对应。
场效应管与晶体管的比较-使用优势
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
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