MOS管知识解析|如何降低MOS的失效率-KIA MOS管
如何以最小代价降低MOS的失效率
如何降低MOS的失效率：在高端MOS的栅极驱动电路中，自举电路因技术简单、成本低廉得到了广泛的应用。然而在实际应用中，MOS常莫名其妙的失效，有时还伴随着驱动IC的损坏。如何解决？一个合适的电阻就可搞定问题。
【问题分析】
图为典型的半桥自举驱动电路，由于寄生电感的存在，在高端MOS关闭后，低端MOS的体二极管钳位之前，寄生电感通过低端二极管进行续流，导致VS端产生负压，且负压的大小与寄生电感与成正比关系。
该负压会把驱动的电位拉到负电位，导致驱动电路异常，还可能让自举电容过充电导致驱动电路或者栅极损坏。由于IC的驱动端通常都有寄生二极管，当瞬间的大电流流过驱动口的二极管时，很可能引发寄生SCR闭锁效应，导致驱动电路彻底损坏。
【解决方法】
如何降低MOS的失效率：如上图所示，在自举驱动芯片VS端与Q1的源极之间增加一个电阻Rvs，该电阻不仅是自举限流电阻，同时还是导通电阻和关断电阻。
由于占空比受自举电容影响，该电阻值一般不能取得较大，推荐值为3~10Ω较为适宜。电阻和自举电容的容值与其充电时间可以由以下公式得出：
其中C是自举电容容值，D为最大占空比
对于减小高端MOS驱动的寄生振荡，除通过增加驱动端的电阻发挥作用外，在印制电路板的设计中，还可注意以下一些细节，将寄生振荡降到最低。
如：自举二极管应紧靠自举电容，功率布线尽量短且走线圆滑，直插器件应紧贴PCB以减小寄生电感等。
厂家简介
KIA半导体专业生产MOS管场效应管厂家（国家高新技术企业）成立于2005年，公司成立初期就明确立足本土市场，研发为先导，了解客户需求，运用创新的集成电路设计方案和国际同步研发技术;
结合中国市场的特点，向市场推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等电源相关产品，产品的稳定性，高性价比，良好的服务，以及和客户充分的技术，市场沟通的严谨态度，在移动数码，LCE,HID,LED,电动车，开关电源，逆变器，节能灯等领域深得客户认可。
这过去的2007年，KIA一韩国技术研发人员为核心的设计团队，成功完成最新型工艺为代表MOSFET产品的设计和生产定型，大幅度降低了产品的RDS(ON)，提高客户产品的转换效率，并率先将该类型产品在中国市场推出，产品的相关测试数据均达到欧美同类产品，同样这高温可靠性和稳定性方面表现优秀。
KIA半导体持续改进，永不止步期待与您一起努力向市场提供，更高性价比产品，共同提升核心竞争力。KIA从研发设计到制造封装，再到仓储和物流等拥有专业的团队，让客户从一个想法变成成品，让客户产品亮点无限扩大的一体化服务。
KIA生产的MOS管,场效应管的具体应用领域
1.工业领域：步进马达驱动，电钻工具，工业开关电源
2.新能源领域：光伏逆变，充电桩，无人机
3.交通领域：车载逆变器，汽车HID安定器，电动自动车
4.绿色照明领域：CCFL节能灯，LED照明电源，金卤灯镇流器
以上应用领域广，型号也大不相同，根据参数的不同我们也会为你选择更适合你的产品,有种精神叫坚持，目标始终没有变，十年创新，我们领跑科技发展。
KIA本着“携手客户，创新设计，共同提升，服务市场”的理念，期待在您的大力支持下，使KIA成为MOSFET器件领域的优秀mos管品牌。
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