KNX3204A|40V100A参数规格|免费送样，原厂直销-KIA MOS管
KNX3204A|40V100A参数规格N沟道MOS管
MOS管KNX3204A器件描述
漏源电压（Vdss）：40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：137W(Tc) 类型：N沟道
参数
属性：参数值
商品目录：MOS管(场效应管)
漏源电压（Vdss）：40V
连续漏极电流（Id）（25℃时）：100A(Tc)
栅源极阈值电压：4V @ 250uA
KNX3204A|40V100A参数规格-特征
RDS(ON),typ. =4mΩ(typ.)@VGS =10V
专有的新沟槽式技术
低门电荷 减小开关损耗
快速恢复体二极管
KNX3204A|40V100A参数规格-应用程序
直流-直流转换器
直流-直流逆变器
电力供应
广东可易亚半导体科技有限公司是一家专业从事中、大功率场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
KIA专注于产品的精细化与革新，力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。
KIA半导体从设计研发到制造再到仓储物流，KIA半导体真正实现了一体化的服务链，真正做到了服务细节全到位的品牌内涵，我们致力于成为场效应管（MOSFET）功率器件领域的领跑者，为了这个目标，KIA半导体正在持续创新，永不止步！
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