MOS管反相器基本概念及特性解析-KIA MOS管
MOS管反相器基本概念
MOS反相器的静态特性
VoH:输出电平为逻辑”1”时的最大输出电压
VoL:输出电平为逻辑”0”时的最小输出电压
VIL:仍能维持输出为逻辑”1”的最大输入电压
VIH:仍能维持输出为逻辑”0"的最小输入电压
VM (逻辑阈值) :输入等于输出
反相器是构成逻辑电路的一个基本要素，无论是对于恢复逻辑电平的电路、与非门及或非门电路，还是对于各种形式的时序电路以及存储器电路，它都是需要的。
MOS管反相器分为静态反相器和动态反相器两种结构形式。静态反相器是动态反相器发展的基础，通过分析各种静态反相器的特点，才能充分利用各种静态反相器性能优势，在其基础上发展和应用动态反相器。
反相器是这样的电路，当其输入信号为高电平时，其输出为低电平，而当其输入信号为低电平，其输出则为高电平。反相器在电路中的表示符号如上图所示。
增强型NMOS管负载反相器
1.负载NMOS管工作于饱和区的反相器
2.负载NMOS管工作于线性电阻区
耗尽型负载NMOS管反相器
CMOS反相器结构特点
CMOS反相器直流特性
1.功耗
CMOS反相器的耗功P由两部分组成
(1)静态功耗，即反向漏电造成的功耗PD;
(2)动态功耗，即反相器电平发生跳变时产生的功耗。
静态功耗
2.动态功耗
以CMOS反相器为例来分析动态功耗。在输入信号从逻辑0到逻辑1的跳变或输入信号从逻辑1到逻辑0跳变的瞬间，CMOS反相器的NMOS晶体管和PMOS晶体管都处于导通状态，这导致一个从电源Vpp到地的窄电流脉冲。
同时为了对负载电容进行充电和放电，也需要有电流流动，这将引起功耗。通常，对负载电容的充电和放电所需要的电流是造成动态功耗的主要因素。
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